SJ 50033.130-1997 半导体分立器件3DD159型低频大功率晶体管详细规范
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ID： |
7B947F1455024CF093475646EDBB8721 |
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文件大小(MB)： |
0.5 |
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页数： |
11 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ 中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/130-97,半导体分立器件3DD159型,低频大功率晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DD159,low - frequency and high - power transistor,1997.06.17发布1997-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DD159型低频大功率晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DD159,low-frequency and high - power transistor,SJ 50033/130-97,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3DD159 A.G型低频大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级.,按GJB 33《半导体分立器件总规范》L3的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-94双极型晶体管,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计和结构,器件的设计和结构应按GJB 33的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐,引出端表面为锡层或银层,3.2.2 器件结构,器件为三重扩散台面结构,中华人民共和国电子工业部!997-06-17发布 1997-10-01实施,一 1 一,SJ 50033/130-97,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581中的B2-01C型的要求,见图1〇,1 .基极,2 .发射极,外壳;集电极,mm,B2—O1B,符/,min nom max,A,8.63,12.19,1.52,贴2 0.966 1.092,的22.86,d 5.46*,F 3.50,L 8 13.9,レ1.52,孙3.84 4.21,(1 29.90 30.40,氏13.58,Ri 4.82,S 16.89*,5 10.13,u2 27.17,图1外形图,3.3 最大额定值和,主要电特性,3.3.1 最大额定值,注:1）联＞25匕时,按0.5W/K的速率线性地降额,型号,1),P tot,Tc-25t,W,VcBO,V,%EO,V,Vebo,V,1c,A,4,r 匕,3DD159A 80 50,3DD159B 150 100,3DD159C 200 150,3DD159D 75 250 200 5 5 175 - 55.175,3DD159E 350 250,3DD159F 400 300,3DD159G 500 400,—2,下载,SJ 50033/130-97,3.3.2主要电特性（Ta = 25C）,\极限值,型号、,1),入FEI,35V,fc = 2,5A,Vc&mt,に: 2.5A,30.25A,V,VfiEant,Ic = 2,5A,30.25A,V,VCE=10V,c = 2A,25C4Tc475匕,K/W,最大值最大值最大值,3DD159A,3DD159B,3DD159C,3DD159D,3DD159E,3DD159F,3DD159G,红 15-25,橙 25-40,黄4〇.55,绿 55-80,篮 80~120,紫 120-180,1.2 1.5 2.0,注:1）ん阳く 55时,其误差小于±20%,ん阳＞55时,其误差小于± 10%,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,器件的标志应符合GJB 33及本规范的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选按GJB 33的表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,筛 选,（见GJB 33的表2）,测试或试验,3.热冲击,（温度循环）,试验条件:温度:-55.+150ヒ,循环次数:20次,7.中间电参数测试/CROI 和れ FE1,8,功率老练,4 =162.5 ±12.5,PG50W,%e = 25V,9.最后测试按本规范表1的A2分组,41cboiく初始值的100%或200め取较大者,141PHiく初始值的20%,4.4 质量一致性检验,_ 3 —,SJ 50033/130-97,质量一致性检验按GJB 33的规定,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验方法,检验方法应按本规范相应的表和下列规定,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试条件应按GJB 128的3.3.2.1的规定,表1 A组检验,检验或试电,GB 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件最小值最大值,A!分组5,外观及机械检验GJB 128,2071,A2分组,集电极ー发射极本规范发射极一基……
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